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CGHV35150F-AMP数据手册开发板套件编程器的射频评估开发套件开发板规格书PDF

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厂商型号

CGHV35150F-AMP

参数属性

CGHV35150F-AMP 包装为盒;类别为开发板套件编程器的射频评估开发套件开发板;产品描述:CGHV35150F DEV BOARD WITH HEMT

功能描述

150-W; 2900 – 3500-MHz; 50-V; GaN HEMT for S-Band Radar Systems

制造商

MACOM Tyco Electronics

中文名称

玛科姆技术方案控股有限公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 19:30:00

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CGHV35150F-AMP规格书详情

描述 Description

Rated Power = 150 W @ TCASE = 85°COperating Frequency = 2.9 – 3.5 GHzTransient 100 μsec – 300 μsec @ 20% Duty Cycle13.5 dB Power Gain @ TCASE = 85°C50 % Typical Drain Efficiency @ TCASE = 85°CInput Matched<0.3 dB Pulsed Amplitude Droop

特性 Features

• Rated Power = 150 W @ TCASE = 85°C
•Operating Frequency = 2.9 – 3.5 GHz
•Transient 100 μsec – 300 μsec @ 20% Duty Cycle
•13.5 dB Power Gain @ TCASE = 85°C
•50 % Typical Drain Efficiency @ TCASE = 85°C
•Input Matched
•<0.3 dB Pulsed Amplitude Droop

应用 Application

• S-Band Radar amplifiers

技术参数

  • 制造商编号

    :CGHV35150F-AMP

  • 生产厂家

    :MACOM

  • Peak Output Power Range

    :100 - 199 W

  • Frequency Range

    :2.7 - 4 GHz

  • Technology

    :GaN on SiC

  • Frequency (Min)

    :2.9 GHz

  • Frequency (Max)

    :3.5 GHz

  • Peak Output Power

    :150 W

  • Gain

    :13.5 dB

  • Efficiency

    :NA

  • Form

    :Evaluation Board

  • Package Type

    :Flange

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