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CGHV31500F1数据手册MACOM中文资料规格书
CGHV31500F1规格书详情
描述 Description
The CGHV31500F1 is a gallium-nitride (GaN), fully matched IMFET housed in a thermally enhanced air cavity package. Operating at 50V, the device is capable of 500W of pulsed output power, with 2mS pulse lengths at 20% duty cycle.
特性 Features
·650 W Typical Output Power
·12 dB Power Gain
·65% Typical Drain Efficiency
·50 Ohm Internally Matched
·<0.3 dB Pulsed Amplitude Droop
应用 Application
·S-Band Radar Amplifiers
技术参数
- 制造商编号
：CGHV31500F1
- 生产厂家
：MACOM
- Min Frequency(MHz)
：2700
- Max Frequency(MHz)
：3100
- Peak Output Power(W)
：500
- Gain(dB)
：12.7
- Efficiency(%)
：60
- Operating Voltage(V)
：50
- Form
：Packaged Discrete Transistor
- Package Category
：Flange
- Technology
：GaN-on-SiC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CREE |
24+ |
N/A |
90000 |
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询价 | ||
Cree/Wolfspeed |
22+ |
20TSSOP |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
CREE |
2023+ |
8700 |
原装现货 |
询价 | |||
CREE/科锐 |
23+ |
1000000 |
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询价 | |||
Wolfspeed Inc. |
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20-TSSOP(0.173 4.40mm 宽)裸 |
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CREE |
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1983 |
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CREE |
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原装正品 |
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CREE |
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CREE |
22+ |
N/A |
9000 |
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询价 | ||
Cree/Wolfspeed |
2022+ |
20-TSSOP |
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询价 |
