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CEF1185	文件：362.71 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. 文件：362.71 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF1186	文件：640.2 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. 文件：640.2 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF1188	文件：905.88 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：905.88 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF1188SA	文件：421.19 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：421.19 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF1194	文件：560.71 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：560.71 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF1195	文件：583.01 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. 文件：583.01 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF1195	文件：437.74 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. 文件：437.74 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEF11N65S	文件：532.19 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：532.19 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF125N15	文件：424.12 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：424.12 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF12N5	文件：648.58 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：648.58 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS

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技术参数

BVDSS(V)：
650
Rds(on)mΩ@10V：
10500
ID(A)：
1.3
Qg(nC)@10V(typ)：
6.9
RθJC(℃/W)：
4.5
Pd(W)：
27
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创腾电子科技有限公司	CEF06N8	CET	23+	TOP/3A	7000	绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购!	询价
谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司	CEFF634	CET	25+	DIP-14	18000	原厂直接发货进口原装	询价
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