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CEF	文件：111.77 Kbytes Page：2 Pages	Bidirectional ESD / Transient Suppressors 文件：111.77 Kbytes 页数：2 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
SN74LVC1G08DCK3	文件：2.93451 Mbytes Page：48 Pages	丝印：CEF；Package：SC70；Single 2-Input Positive-AND Gate 文件：2.93451 Mbytes 页数：48 Pages	TI 德州仪器	TI
CEF01N65	文件：429.92 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP01N65 650V 10.5Ω 1.3A 10V CEF01N65 650V 10.5Ω 1.3A 10V CEB01N65 650V 10.5Ω 1.3A 10V ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ 文件：429.92 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEF01N6G	文件：374.19 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. 文件：374.19 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEF02N6	文件：45.44 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 & TO-262 package & TO-220F full-pak for through hole. 文件：45.44 Kbytes 页数：5 Pages	CET 华瑞	CET
CEF02N65A	文件：539.32 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：539.32 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF02N65D	文件：350.41 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. 文件：350.41 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF02N65G	文件：599.68 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. 文件：599.68 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF02N6A	文件：592.86 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. 文件：592.86 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF02N6A	文件：125.19 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 & TO-262 package & TO-220F full-pak for through hole. Lead free product is acquired. 文件：125.19 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET

技术参数

BVDSS(V)：
650
Rds(on)mΩ@10V：
10500
ID(A)：
1.3
Qg(nC)@10V(typ)：
6.9
RθJC(℃/W)：
4.5
Pd(W)：
27
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创腾电子科技有限公司	CEF06N8	CET	23+	TOP/3A	7000	绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购!	询价
谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司	CEFF634	CET	25+	DIP-14	18000	原厂直接发货进口原装	询价
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