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CEF04N6	文件：43.13 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 600V , 2.5A , RDS(ON)=2.5Ω@VGS=10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handling capability. TO-220F full-pak for through hole 文件：43.13 Kbytes 页数：5 Pages	CET 华瑞	CET
CEF04N65	文件：628 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：628 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF04N65A	文件：505.8 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Pb-free lead plating ; RoHS compliant. Halogen Free. 文件：505.8 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF04N7G	文件：647.56 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. 文件：647.56 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF04N7G	文件：424.28 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. 文件：424.28 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEF05N65	文件：410.8 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired 文件：410.8 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEF05N65	文件：634.28 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. 文件：634.28 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF06N7	文件：605.67 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：605.67 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF07N65	文件：416.48 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. 文件：416.48 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEF07N65A	文件：822.56 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. 文件：822.56 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS

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技术参数

BVDSS(V)：
650
Rds(on)mΩ@10V：
10500
ID(A)：
1.3
Qg(nC)@10V(typ)：
6.9
RθJC(℃/W)：
4.5
Pd(W)：
27
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创腾电子科技有限公司	CEF06N8	CET	23+	TOP/3A	7000	绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购!	询价
谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司	CEFF634	CET	25+	DIP-14	18000	原厂直接发货进口原装	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	CEF9142-2	PH	23+	SOP-28	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	CEFGCJ83.333	TAITIE	25+	N/A	636	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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深圳市恒创达实业有限公司	CEF07N65	CET	17+	TO-220F	6200		询价
深圳市利加科技有限公司	CEFGCJ10.000	TAITIEN	16+	NA	8800	原装现货,货真价优	询价
深圳市一线半导体有限公司	CEF80N75	CET	24+		5000		询价
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司	CEF9039-2	PHI	25+	SOP28W	3629	原装优势!房间现货!欢迎来电!	询价

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