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CEF07N65LN	文件：518.57 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：518.57 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF07N65SA	文件：544.5 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：544.5 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF07N7	文件：638.01 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. 文件：638.01 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF07N7	文件：418.14 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. 文件：418.14 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEF07N8	文件：46.14 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 800V , 4A , RDS(ON)=2Ω @VGS=10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handling capability. ■ TO-220F full-pak for through hole 文件：46.14 Kbytes 页数：5 Pages	CET 华瑞	CET
CEF07N8	文件：444.95 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：444.95 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF08N5	文件：46.58 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ● 500V , 4.7A , RDS(ON)=0.85Ω @VGS=10V. ● Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ● High power and current handling capability. ● TO-220F full-pak for through hole 文件：46.58 Kbytes 页数：5 Pages	CET 华瑞	CET
CEF08N6A	文件：607.32 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：607.32 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF08N8	文件：582.21 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：582.21 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF09N6	文件：45.42 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 & TO-262 package & TO-220F full-pak for through hole. 文件：45.42 Kbytes 页数：5 Pages	CET 华瑞	CET

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技术参数

BVDSS(V)：
650
Rds(on)mΩ@10V：
10500
ID(A)：
1.3
Qg(nC)@10V(typ)：
6.9
RθJC(℃/W)：
4.5
Pd(W)：
27
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创腾电子科技有限公司	CEF06N8	CET	23+	TOP/3A	7000	绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购!	询价
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