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CEF20N65S	文件：659.3 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：659.3 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF20N65SA	文件：529.61 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：529.61 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF20N65SF	文件：400.95 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. Fast reverse recovery time. Drive circuits can be simple. 文件：400.95 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF2515	文件：498.82 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：498.82 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF25N55LS	文件：647.15 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：647.15 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF25N65CS	文件：426.66 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：426.66 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF30N15L	文件：647.12 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：647.12 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF3112	文件：523.69 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：523.69 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF35P10	文件：478.96 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -100V, -32A, RDS(ON) =76mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RDS(ON) =92mW @VGS = -4.5V. Lead-free plating ; RoHS compliant. 文件：478.96 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF35P10	文件：400.71 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ -100V, -32A, RDS(ON) =76mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) =92mΩ @VGS = -4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package. 文件：400.71 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET

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技术参数

BVDSS(V)：
650
Rds(on)mΩ@10V：
10500
ID(A)：
1.3
Qg(nC)@10V(typ)：
6.9
RθJC(℃/W)：
4.5
Pd(W)：
27
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创腾电子科技有限公司	CEF06N8	CET	23+	TOP/3A	7000	绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购!	询价
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