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CEF07N7	文件：418.14 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. 文件：418.14 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEF07N7	文件：638.01 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. 文件：638.01 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF07N7	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 华瑞	CET
CEI07N7	文件：668.3 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. 700V , 6.6A , RDS(ON)=1.5W @VGS = 10V. 文件：668.3 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP07N7	文件：638.01 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. 文件：638.01 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP07N7	文件：418.14 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. 文件：418.14 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET

技术参数

BVDSS(V)：
700
Rds(on)mΩ@10V：
1500
ID(A)：
6.6
Qg(nC)@10V(typ)：
23
RθJC(℃/W)：
2.5
Pd(W)：
50
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CEF07N7供应商更新时间2025-10-9 10:20:00

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