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BSM35GD120DN2	文件：272.04 Kbytes Page：10 Pages	IGBT Power Module 文件：272.04 Kbytes 页数：10 Pages	EUPEC	EUPEC
BSM35GD120DN2	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT Power Module	Infineon 英飞凌	Infineon
BSM35GD120DN2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：托盘托盘类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 50A 280W	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSM35GD120DN2E3224	文件：56.6 Kbytes Page：1 Pages	Circuit Diagram 文件：56.6 Kbytes 页数：1 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BSM35GD120DN2E3224BOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 50A 280W	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSM35GD120DN2E3224BPSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211	INFINEON 英飞凌	INFINEON

产品属性

产品编号：
BSM35GD120DN2
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
包装：
托盘托盘
IGBT 类型：
NPT
配置：
三相反相器
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.2V @ 15V，35A
输入：
标准
NTC 热敏电阻：
无
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
模块
供应商器件封装：
模块
描述：
IGBT MOD 1200V 50A 280W

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