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BSN20	文件：101.24 Kbytes Page：8 Pages	N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: BSN20inSOT23. Features ■TrenchMOS™technology ■Veryfastswitching ■Logiclevelcompatible ■Subminiaturesurfacemountpackage. Applications ■	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BSN20	文件：1.33762 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET Features ●TrenchMOS™technology ●Veryfastswitching ●Logiclevelcompatible ●Subminiaturesurfacemountpackage.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
BSN20	文件：1.73224 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •LowThreshold:2V(typ.) •LowInputCapacitance:25pF •FastSwitchingSpeed:25ns •LowInputandOutputLeakage •TrenchFET®PowerMOSFET •1200VESDProtection •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC BENEFITS •Low	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
BSN20	文件：122.19 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET Description ThisnewgenerationMOSFEThasbeendesignedtominimizetheonstateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. FeaturesandBenefits •LowOn-Resistance •LowInputCapacitance •FastSw	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BSN20	文件：748.01 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司
BSN20	文件：417.23 Kbytes Page：14 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor 1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™1technology. Productavailability: BSN20inSOT23. 2.Features nTrenchMOS™technology nVeryfastswitching nLogiclevelcompatible nSubminiaturesurfacemountpackage. 3.Applicati	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
BSN20.215	文件：339.29 Kbytes Page：13 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: BSN20inSOT23. Features ■TrenchMOS™technology ■Veryfastswitching ■Logiclevelcompatible ■Subminiaturesurfacemountpackage. Applications ■	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BSN205	文件：50.43 Kbytes Page：8 Pages	N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor DESCRIPTION N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaSOT223envelope,intendedforuseasalinecurrentinterruptorintelephonesetsandforapplicationsinrelay,high-speedandlinetransformerdrivers. FEATURES •DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. •High-speedswitching	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BSN205A	文件：50.43 Kbytes Page：8 Pages	N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor DESCRIPTION N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaSOT223envelope,intendedforuseasalinecurrentinterruptorintelephonesetsandforapplicationsinrelay,high-speedandlinetransformerdrivers. FEATURES •DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. •High-speedswitching	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BSN20-7	文件：122.19 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET Description ThisnewgenerationMOSFEThasbeendesignedtominimizetheonstateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. FeaturesandBenefits •LowOn-Resistance •LowInputCapacitance •FastSw	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BSN20BK	文件：739.42 Kbytes Page：16 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •ElectroStati	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
BSN20W	文件：73.71 Kbytes Page：8 Pages	N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor DESCRIPTION N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorina3pinplasticSOT323SMDpackage. FEATURES •DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. •High-speedswitching •Nosecondarybreakdown. APPLICATIONS •Thinandthickfilmcircuits •Generalpurposefastswitchingapplications	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BSN20_00	文件：296.13 Kbytes Page：13 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BSN20_15	文件：183.98 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BSN20-7	文件：183.98 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BSN20BK_15	文件：280.82 Kbytes Page：16 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BSN20Q-7	文件：183.98 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技

详细参数

型号：
BSN20
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
MOSFET N CH 50V 0.173A SOT23
功能描述：
MOSFET, N CH, 50V, 0.173A, SOT23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	BSN20	NXP/恩智浦	2019+全新原装正品	SOT23	8950	BOM配单专家,发货快,价格低	询价
京海半导体(深圳)有限公司	BSN20	NXP/恩智浦	21+	SOT23	20000	原装现货假一罚十	询价
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更多BSN20供应商更新时间2024-4-26 16:36:00

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