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M8-	文件：382.95 Kbytes Page：16 Pages	型号：2N7002PS；Package：SOT-363；60 V, 320 mA N-channel Trench MOSFET Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaverysmallSOT363(SC-88)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits ●Logic-levelcompatible ●Veryfastswitching ●TrenchMOSFETtechnology ●AEC-	恩XP	恩XP
M8-	文件：101.24 Kbytes Page：8 Pages	型号：BSN20；Package：SOT-23；N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: BSN20inSOT23. Features ■TrenchMOS™technology ■Veryfastswitching ■Logiclevelcompatible ■Subminiaturesurfacemountpackage. Applications ■	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI

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M8-

文件：382.95 Kbytes

Page：16 Pages

型号：2N7002PS；Package：SOT-363；60 V, 320 mA N-channel Trench MOSFET

Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaverysmallSOT363(SC-88)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits ●Logic-levelcompatible ●Veryfastswitching ●TrenchMOSFETtechnology ●AEC-

恩XP

M8-

文件：101.24 Kbytes

Page：8 Pages

型号：BSN20；Package：SOT-23；N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: BSN20inSOT23. Features ■TrenchMOS™technology ■Veryfastswitching ■Logiclevelcompatible ■Subminiaturesurfacemountpackage. Applications ■

PHIPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

PHI

详细参数

型号：
M8-
功能描述：
MOSFET TRENCH 31V-99V G2 TAPE 13
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多M8-供应商更新时间2025-7-31 16:36:00

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