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BSN20,215

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. Product availability: BSN20 in SOT23. Features ■ TrenchMOS™ technology ■ Very fast switching ■ Logic level compatible ■ Subminiature surface mount package. Applications ■

文件:101.24 Kbytes 页数:8 Pages

PHI

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PHI

BSN20-7

SOT-23

DIODES INCORPORATED

上传:北京京北通宇电子元件有限公司

DIODES INCORPORATED

BSN254A

TO-92

FAIRCHILD/仙童

上传:深圳广友电子有限公司

FAIRCHILD/仙童

BSN304

TO-92

PHI

BSO119N03S

SOP-8

INFINEON

英飞凌

上传:深圳市宇集芯电子有限公司

详细参数

  • 型号:

    BSN20,215

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH TRNCH 50V 173MA

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SOT-23
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更多BSN20,215供应商 更新时间2026-2-3 10:01:00