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BSM35GD120DN2E3224	文件：56.6 Kbytes Page：1 Pages	Circuit Diagram	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BSM35GD120DN2E3224BOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 50A 280W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSM35GD120DN2E3224BPSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
BSM35GD120DN2E3224
功能描述：
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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