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BSM35GD120DN2E3224分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

BSM35GD120DN2E3224
厂商型号

BSM35GD120DN2E3224

参数属性

BSM35GD120DN2E3224 封装/外壳为模块;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211

功能描述

Circuit Diagram

封装外壳

模块

文件大小

56.6 Kbytes

页面数量

1

生产厂商 Siemens Semiconductor Group
企业简称

SIEMENS西门子

中文名称

德国西门子股份公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-2 23:00:00

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产品属性

  • 产品编号:

    BSM35GD120DN2E3224BPSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    散装

  • 配置:

    全桥

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.2V @ 15V,35A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    模块

  • 供应商器件封装:

    AG-ECONO2B

  • 描述:

    LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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