| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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Infineon英飞凌专营模块 |
1000 |
23+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
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InfineonGBT 模块 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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EUPECIGBT |
77 |
08+ |
全新进口原装绝对公司现货特价! |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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Infineon TechnologiesModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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INFINEONIGBT |
200 |
23+ |
原包装原标签特价销售 |
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浙江永芯科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌module |
1525 |
专营功率模块,现货库存 |
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深圳市铭威达电子科技有限公司2年
留言
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英飞凌 |
266 |
原装现货 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌module |
1525 |
专营功率模块,现货库存 |
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深圳市瀚珑科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌SMD |
10250 |
24+ |
只做原装现货13691986278微信 |
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深圳市锦达世纪科技有限公司8年
留言
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0 |
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深圳市铭威达电子科技有限公司2年
留言
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英飞凌 |
266 |
原装现货 |
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深圳市鹏华威电子有限公司6年
留言
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INFINEON只做进口原装 |
120 |
2019+ |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)AG-62mm-2 |
914 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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63 |
23+ |
专业模块销售,欢迎咨询 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌 |
10000 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市祥瑞智科技有限公司11年
留言
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INFINEON模块 |
600 |
22+ |
原厂原装,价格优势!13246658303 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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EUPEC主营模块 |
190 |
N/A |
原装正品,现货供应 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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EUPECMODULE |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
BSM300GA120DN2采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BSM300GA120DN2图片
BSM300GA120DN2价格
BSM300GA120DN2价格：￥1021.9117品牌：Infineon
生产厂家品牌为Infineon的BSM300GA120DN2多少钱，想知道BSM300GA120DN2价格是多少？参考价：￥1021.9117。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BSM300GA120DN2批发价格及采购报价，BSM300GA120DN2销售排行榜及行情走势，BSM300GA120DN2报价。
BSM300GA120DN2中文资料Alldatasheet PDF
更多BSM300GA120DN2功能描述:IGBT 模块 1200V 300A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM300GA120DN2E3166功能描述:IGBT Module
BSM300GA120DN2FS功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 300A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM300GA120DN2FS_E3256功能描述:IGBT 模块 IGBT POWER MOD 1200v 300A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM300GA120DN2S功能描述:IGBT 模块 1200V 300A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM300GA120DN2S_E3256功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 300A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM300GA120DN2SE3256功能描述:IGBT 晶体管 1200V 300A SINGLE RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
BSM300GA120DN2SE325HOSA1制造商:Infineon Technologies AG
