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BSM400GA120DN2	文件：210.99 Kbytes Page：11 Pages	IGBT Power Module •Singleswitch •Includingfastfree-wheelingdiodes •Packagewithinsulatedmetalbaseplate	eupec eupec GmbH	eupec
BSM400GA120DN2	文件：199.157 Kbytes Page：11 Pages	英飞凌IGBT BSM400GA120DN2	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 PDF上传者：苏州银邦电子科技有限公司	Infineon
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BSM400GA120DN2S	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed 2-Technology •Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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BSM400GA120DN2HOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 550A 2700W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
BSM400GA120DN2
功能描述：
IGBT 模块 1200V 400A SINGLE
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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