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BSM35GD120DN2数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF
BSM35GD120DN2规格书详情
简介
BSM35GD120DN2属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的BSM35GD120DN2晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 产品编号:
BSM35GD120DN2
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装:
托盘托盘
- IGBT 类型:
NPT
- 配置:
三相反相器
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
3.2V @ 15V,35A
- 输入:
标准
- NTC 热敏电阻:
无
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
模块
- 供应商器件封装:
模块
- 描述:
IGBT MOD 1200V 50A 280W
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
NSC |
23+ |
DIP-16 |
12000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
EUPEC |
24+ |
module |
6000 |
全新原装正品现货 假一赔佰 |
询价 | ||
EUPEC |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
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IGBT |
1950+ |
980 |
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原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
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询价 | ||
EUPEC |
2003 |
2 |
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询价 | |||
Infineon |
2年内 |
模块 |
6000 |
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询价 | ||
IGBT |
23+ |
模块 |
18 |
询价 | |||
EUPEC |
24+ |
35A/1200V/IG |
21322 |
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询价 |