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BSM300D12P2E001中文资料SiC(碳化硅)功率模块数据手册ROHM规格书

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厂商型号

BSM300D12P2E001

功能描述

SiC(碳化硅)功率模块

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-26 10:19:00

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BSM300D12P2E001规格书详情

描述 Description

BSM300D12P2E001由罗姆公司生产的SiC-DMOSFET和SiC-SBD构成,是2in1的SiC功率模块。

特性 Features

• Low surge, low switching loss.
• High-speed switching possible.
• Reduced temperature dependance.

技术参数

  • 制造商编号

    :BSM300D12P2E001

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :E

  • 包装数量

    :4

  • 最小独立包装数量

    :4

  • 包装形态

    :Corrugated Cardboard

  • RoHS

    :Yes

  • Drain-source Voltage[V]

    :1200

  • Drain Current[A]

    :300

  • Total Power Dissipation[W]

    :1875

  • Junction Temperature(Max.)[°C]

    :175

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-40

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :125

  • Package

    :Half bridge

  • Package Size [mm]

    :152x57.95 (t=18)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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