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BSM25GB120DN2中文资料IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)数据手册Infineon规格书

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厂商型号

BSM25GB120DN2

功能描述

IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 14:44:00

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技术参数

  • 型号:

    BSM25GB120DN2

  • 功能描述:

    IGBT 模块 1200V 25A DUAL

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 产品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 封装/箱体:

    34MM

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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