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BSM200GB120DL中文资料IGBT Power Module (Low Loss IGBT Low inductance halfbridge Including fast free- wheeling diodes)数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
BSM200GB120DL |
| 参数属性 | BSM200GB120DL 封装/外壳为模块；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块；产品描述：IGBT MOD 1200V 420A 1550W |
| 功能描述 | IGBT Power Module (Low Loss IGBT Low inductance halfbridge Including fast free- wheeling diodes) |
| 封装外壳 | 模块 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 22:50:00 |
| 人工找货 | BSM200GB120DL价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BSM200GB120DL规格书详情
简介
BSM200GB120DL属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的BSM200GB120DL晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 产品编号：
BSM200GB120DLCHOSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装：
托盘
- 配置：
半桥
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，200A
- 输入：
标准
- NTC 热敏电阻：
无
- 工作温度：
-40°C ~ 125°C
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
模块
- 供应商器件封装：
模块
- 描述：
IGBT MOD 1200V 420A 1550W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
EUPEC德国欧派克 |
23+ |
NA |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
EUPEC |
24+ |
module |
6000 |
全新原装正品现货 假一赔佰 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
EUPEC/欧派克 |
25+ |
原厂原封可拆样 |
54285 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
EUPEC |
23+ |
模块 |
3562 |
询价 | |||
EUPEC |
25+ |
MODULE |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
EUPEC |
25+ |
DIP-28 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2450+ |
9850 |
只做原装正品 |
询价 | |||
EUPEC |
22+ |
模块 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
询价 |
