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BSM200GB120中文资料IGBT Power Module (Low Loss IGBT Low inductance halfbridge Including fast free- wheeling diodes)数据手册Infineon规格书

厂商型号 |
BSM200GB120 |
参数属性 | BSM200GB120 封装/外壳为模块;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 1200V 290A 1400W |
功能描述 | IGBT Power Module (Low Loss IGBT Low inductance halfbridge Including fast free- wheeling diodes) |
封装外壳 | 模块 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-24 9:21:00 |
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BSM200GB120规格书详情
简介
BSM200GB120属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的BSM200GB120晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 产品编号:
BSM200GB120DN2HOSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装:
托盘
- 配置:
半桥
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
3V @ 15V,200A
- 输入:
标准
- NTC 热敏电阻:
无
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
模块
- 供应商器件封装:
模块
- 描述:
IGBT MOD 1200V 290A 1400W
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
20+ |
原装模块 |
368 |
样品可出,原装现货 |
询价 | ||
Infine |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
MODULE |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
EUPEC |
23+24 |
200A/1200V/2U |
2980 |
模块专业供货,优势现货,价格市场最优! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
MODULE |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
EUPEC |
25+ |
MODULE |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
25+ |
5000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||||
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
INFINEON
|
10+ |
主营模块 |
500 |
原装正品,绝对正品,现货供应 |
询价 |