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BSM200GB120中文资料IGBT Power Module (Low Loss IGBT Low inductance halfbridge Including fast free- wheeling diodes)数据手册Infineon规格书

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厂商型号

BSM200GB120

参数属性

BSM200GB120 封装/外壳为模块;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 1200V 290A 1400W

功能描述

IGBT Power Module (Low Loss IGBT Low inductance halfbridge Including fast free- wheeling diodes)
IGBT MOD 1200V 290A 1400W

封装外壳

模块

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 9:21:00

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BSM200GB120规格书详情

简介

BSM200GB120属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的BSM200GB120晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

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  • 产品编号:

    BSM200GB120DN2HOSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    托盘

  • 配置:

    半桥

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3V @ 15V,200A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    模块

  • 供应商器件封装:

    模块

  • 描述:

    IGBT MOD 1200V 290A 1400W

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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20+
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