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BSM25GD120DN2BOSA1中文资料IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
BSM25GD120DN2BOSA1 |
| 参数属性 | BSM25GD120DN2BOSA1 封装/外壳为模块；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块；产品描述：IGBT MOD 1200V 35A 200W |
| 功能描述 | IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2 |
| 封装外壳 | 模块 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 22:59:00 |
| 人工找货 | BSM25GD120DN2BOSA1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BSM25GD120DN2BOSA1规格书详情
简介
BSM25GD120DN2BOSA1属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的BSM25GD120DN2BOSA1晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 制造商编号
：BSM25GD120DN2BOSA1
- 生产厂家
：Infineon
- 配置
：全桥
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
：1200V
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）
：35A
- 功率 - 最大值
：200W
- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
：3V @ 15V，25A
- 电流 - 集电极截止（最大值）
：800µA
- 不同 Vce 时的输入电容（Cies）
：1.65nF @ 25V
- 输入
：标准
- NTC 热敏电阻
：无
- 工作温度
：150°C（TJ）
- 安装类型
：底座安装
- 封装/外壳
：模块
- 供应商器件封装
：模块
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
AGECONO22 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
TI |
23+ |
DIP |
12000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
ORIGINAL |
24+ |
NA |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
EUPEC |
23+ |
模块 |
3562 |
询价 | |||
EUPEC |
25+ |
MODULE |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
询价 | ||
EUPEC |
23+ |
模块 |
320 |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
询价 | ||
EUPEC |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
EUPEC |
23+ |
模块 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
EUPEC |
18+ |
MODULE |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 |
