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BSM75GAR120DN2

HighSpeed 2-Technology

• Designed for: - TV – Horizontal Line Deflection • 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =3A - simple Ga

文件:201.5 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

BSM75GAR120DN2

IGBT Power Module

文件:80.4 Kbytes 页数:7 Pages

Infineon

英飞凌

BSM75GAR120DN2

IGBT Power Module

Infineon

英飞凌

BSM75GAR120DN2HOSA1

Package:模块;包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述:IGBT MOD 1200V 30A 235W

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    BSM75GAR120DN2

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 1200V 100A GAR CH

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon
23+
NA
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
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INFINEON/英飞凌
25+
IGBT
3000
全新原装正品支持含税
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infineon
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10000
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EUPEC
专业模块
MODULE
8513
模块原装主营-可开原型号增税票
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英飞凌
23+
IGBT
3000
全新原装现货,价格优势
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EUPEC
25+
75A/1200V/IG
50
全新原装、诚信经营、公司现货销售
询价
原厂
2023+
模块
600
专营模块,继电器,公司原装现货
询价
更多BSM75GAR120DN2供应商 更新时间2025-10-6 13:00:00