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BSM75GB120DN2	文件：112.89 Kbytes Page：9 Pages	IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) •Half-bridge •Includingfastfree-wheelingdiodes •Packagewithinsulatedmetalbaseplate	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
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BSM75GB120DN2	文件：261.262 Kbytes Page：10 Pages	英飞凌IGBT模块 BSM75GB120DN2	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 PDF上传者：苏州银邦电子科技有限公司	Infineon
BSM75GB120DN2HOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 105A 625W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
BSM75GB120DN2
功能描述：
IGBT 模块 1200V 75A DUAL
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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