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BSM75GB120DN2中文资料PDF规格书
![BSM75GB120DN2](https://oss.114ic.com/img3w/pdf141156.png)
厂商型号 |
BSM75GB120DN2 |
参数属性 | BSM75GB120DN2 封装/外壳为模块;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块;产品描述:IGBT MOD 1200V 105A 625W |
功能描述 | IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) |
文件大小 |
112.89 Kbytes |
页面数量 |
9 页 |
生产厂商 | Siemens Ltd |
企业简称 |
SIEMENS【西门子】 |
中文名称 | 德国西门子股份公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-24 17:37:00 |
BSM75GB120DN2规格书详情
• Half-bridge
• Including fast free-wheeling diodes
• Package with insulated metal base plate
产品属性
- 产品编号:
BSM75GB120DN2HOSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装:
托盘
- 配置:
半桥
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
3V @ 15V,75A
- 输入:
标准
- NTC 热敏电阻:
无
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
模块
- 供应商器件封装:
模块
- 描述:
IGBT MOD 1200V 105A 625W
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
EUC |
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SIEMENS |
23+ |
模块 |
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