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BSM75GB120DN2分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BSM75GB120DN2 |
| 参数属性 | BSM75GB120DN2 封装/外壳为模块；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块；产品描述：IGBT MOD 1200V 105A 625W |
| 功能描述 | 英飞凌IGBT模块 BSM75GB120DN2 |
| 封装外壳 | 模块 |
| 文件大小 |
261.262 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | Infineon Technologies AG |
| 企业简称 |
Infineon【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 资料整理 | 苏州银邦电子科技有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 14:16:00 |
| 人工找货 | BSM75GB120DN2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BSM75GB120DN2规格书详情
BSM75GB120DN2属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由英飞凌科技股份公司制造生产的BSM75GB120DN2晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
产品属性
更多- 产品编号：
BSM75GB120DN2HOSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装：
托盘
- 配置：
半桥
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，75A
- 输入：
标准
- NTC 热敏电阻：
无
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
模块
- 供应商器件封装：
模块
- 描述：
IGBT MOD 1200V 105A 625W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
EUPEC |
23+ |
模块 |
130 |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
MODULE |
120 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
EUPEC |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IGBT |
23+ |
模块 |
20 |
询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
AG-34MM-1 |
10000 |
只做全新原装,实单来 |
询价 | ||
EUPEC |
20+ |
原装模块 |
368 |
样品可出,原装现货 |
询价 | ||
EUPEC |
22+ |
模块 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
EUPEC |
6000 |
面议 |
19 |
 专营模块 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
25+ |
30000 |
原装现货,支持实单 |
询价 |
