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BSM50GD120DN2E3226分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BSM50GD120DN2E3226 |
| 参数属性 | BSM50GD120DN2E3226 封装/外壳为模块；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块；产品描述：IGBT MOD 1200V 50A 350W |
| 功能描述 | IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plate) |
| 封装外壳 | 模块 |
| 文件大小 |
132.73 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | SIEMENS |
| 中文名称 | 西门子 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-15 16:11:00 |
| 人工找货 | BSM50GD120DN2E3226价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BSM50GD120DN2E3226规格书详情
IGBT Power Module
• Power module
• 3-phase full-bridge
• Including fast free-wheel diodes
• Package with insulated metal base plate
• E3226: long terminals, limited current per terminal
产品属性
- 产品编号：
BSM50GD120DN2E3226BOSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装：
托盘
- 配置：
三相反相器
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，50A
- 输入：
标准
- NTC 热敏电阻：
无
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
模块
- 供应商器件封装：
模块
- 描述：
IGBT MOD 1200V 50A 350W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
EUPEC |
2015 |
模块 |
300 |
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