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BSM50GD120DN2E3226分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

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厂商型号

BSM50GD120DN2E3226

参数属性

BSM50GD120DN2E3226 封装/外壳为模块;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 1200V 50A 350W

功能描述

IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plate)

封装外壳

模块

文件大小

132.73 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

SIEMENS

中文名称

西门子

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-15 8:01:00

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BSM50GD120DN2E3226规格书详情

IGBT Power Module

• Power module

• 3-phase full-bridge

• Including fast free-wheel diodes

• Package with insulated metal base plate

• E3226: long terminals, limited current per terminal

产品属性

  • 产品编号:

    BSM50GD120DN2E3226BOSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    托盘

  • 配置:

    三相反相器

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3V @ 15V,50A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    模块

  • 供应商器件封装:

    模块

  • 描述:

    IGBT MOD 1200V 50A 350W

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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