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BSM50GD120DN2E3226分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BSM50GD120DN2E3226 |
| 参数属性 | BSM50GD120DN2E3226 封装/外壳为模块；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块；产品描述：IGBT MOD 1200V 50A 350W |
| 功能描述 | IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plate) |
| 封装外壳 | 模块 |
| 文件大小 |
132.73 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | SIEMENS |
| 中文名称 | 西门子 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-15 8:01:00 |
| 人工找货 | BSM50GD120DN2E3226价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BSM50GD120DN2E3226规格书详情
IGBT Power Module
• Power module
• 3-phase full-bridge
• Including fast free-wheel diodes
• Package with insulated metal base plate
• E3226: long terminals, limited current per terminal
产品属性
- 产品编号：
BSM50GD120DN2E3226BOSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装：
托盘
- 配置：
三相反相器
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，50A
- 输入：
标准
- NTC 热敏电阻：
无
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
模块
- 供应商器件封装：
模块
- 描述：
IGBT MOD 1200V 50A 350W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
NA |
2252 |
18万条库存 一站式配齐 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
AG-ECONO2-2 |
914 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
EUPEC |
24+ |
module |
6000 |
全新原装正品现货 假一赔佰 |
询价 | ||
EUPEC |
NEW |
模块 |
3562 |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
询价 | ||
INF |
25+ |
原厂原封可拆样 |
54285 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
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Infineon Technologies |
24+ |
Module |
1262 |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2450+ |
NA |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
EUPEC |
22+ |
模块 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
EUPEC |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
2447 |
AG-ECONO2-2 |
315000 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 |
