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BSM50GB120DN2分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BSM50GB120DN2 |
| 参数属性 | BSM50GB120DN2 封装/外壳为模块；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块；产品描述：IGBT MOD 1200V 78A 400W |
| 功能描述 | IGBT Power Module |
| 封装外壳 | 模块 |
| 文件大小 |
260.399 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | Infineon Technologies AG |
| 企业简称 |
INFINEON【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-30 13:48:00 |
| 人工找货 | BSM50GB120DN2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BSM50GB120DN2规格书详情
BSM50GB120DN2属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由英飞凌科技股份公司制造生产的BSM50GB120DN2晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
• Half-bridge
• Including fast free-wheeling diodes
• Package with insulated metal base plate
产品属性
更多- 产品编号：
BSM50GB120DN2HOSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装：
托盘
- 配置：
半桥
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，50A
- 输入：
标准
- NTC 热敏电阻：
无
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
模块
- 供应商器件封装：
模块
- 描述：
IGBT MOD 1200V 78A 400W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSI |
24+ |
SOP |
8336 |
公司现货库存,支持实单 |
询价 | ||
EUPEC/欧派克 |
19+ |
IGBT |
1290 |
主打模块,大量现货供应商QQ2355605126 |
询价 | ||
INFINEON |
2023+ |
34MM |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
询价 | ||
SIEMENS |
24+ |
模块 |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
询价 | ||
ORIGINAL |
24+ |
NA |
990000 |
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INFINEON |
2024+ |
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70000 |
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EUPEC |
24+ |
201 |
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询价 | |||
Infineon |
23+ |
标准封装 |
5000 |
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询价 | ||
SIEMENS |
23+ |
模块 |
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Infineon |
13+ |
IGBT |
2 |
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询价 |
