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BSM50GD120DN2G分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

BSM50GD120DN2G
厂商型号

BSM50GD120DN2G

参数属性

BSM50GD120DN2G 封装/外壳为模块;包装为托盘托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 1200V 78A 400W

功能描述

IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)

封装外壳

模块

文件大小

182.91 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Siemens Semiconductor Group
企业简称

SIEMENS西门子

中文名称

德国西门子股份公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-30 13:00:00

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BSM50GD120DN2G规格书详情

IGBT Power Module

• Power module

• 3-phase full-bridge

• Including fast free-wheel diodes

• Package with insulated metal base plate

产品属性

  • 产品编号:

    BSM50GD120DN2G

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    托盘托盘

  • 配置:

    全桥

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.7V @ 15V,50A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    模块

  • 供应商器件封装:

    模块

  • 描述:

    IGBT MOD 1200V 78A 400W

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
23+
NA
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
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SIEMENS
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模块
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模块
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23+
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原装正品
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24+
标准封装
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原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。
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