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BLT50 | UHF power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a SOT223 surface mounted envelope and designed primarily for use in hand-held radio equipment in the 470 MHz communications band. FEATURES • SMD encapsulation • Gold metallization ensures excellent reliability. 文件：70.32 Kbytes 页数：10 Pages | PHI PHI | PHI | |
BLT50 | RF Manual 16th edition General description 10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz. Features and benefits ■ High efficiency ■ Excellent ruggedness ■ Designed for broadband operation ■ Excellent thermal stability ■ High power gain ■ Integrated ESD p 文件：9.37507 Mbytes 页数：130 Pages | 恩XP | 恩XP | |
UHF power transistor 文件：63.11 Kbytes 页数：10 Pages | PHI PHI | PHI | ||
BLT50 | UHF power transistor DESCRIPTION\nNPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a SOT223 surface mounted envelope and designed primarily for use in hand-held radio equipment in the 470 MHz communications band.FEATURES\n• SMD encapsulation\n• Gold metallization ensures excellent reliability. • SMD encapsulation\n• Gold metallization ensures excellent reliability.; | 恩XP | 恩XP |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
超高频/特高频 （UHF）_输出极 （E）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
20V
- 最大电流允许值：
0.5A
- 最大工作频率：
470MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
2W
- 放大倍数：
- 图片代号：
H-99
- vtest：
20
- htest：
470000000
- atest：
0.5
- wtest：
2
详细参数
- 型号：
BLT50
- 功能描述：
射频双极电源晶体管 TAPE-7 TNS-RFPR
- RoHS：
否
- 制造商：
M/A-COM Technology Solutions
- 配置：
Single 直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
40
- 最大工作频率：
30 MHz 集电极—发射极最大电压
- VCEO：
25 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
4 V
- 集电极连续电流：
20 A
- 功率耗散：
250 W
- 封装/箱体：
Case 211-11
- 封装：
Tray
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