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BFP740数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

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厂商型号

BFP740

参数属性

BFP740 封装/外壳为4-SMD,扁平引线;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4TSFP

功能描述

超低噪声SiGe:C晶体管,可用于高达12 GHz的频率
RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4TSFP

封装外壳

4-SMD,扁平引线

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 16:14:00

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BFP740规格书详情

特性 Features

· High gain ultra low noise RF transistor
· Provides outstanding performance for a wide range of wireless applications up to 10 GHz and more
·Ideal for CDMA and WLAN applications
·Outstanding noise figure F = 0.5 dB at 1.8 GHz,Outstanding noise figure F = 0.85 dB at 6 GHz
·High maximum stable gain :Gms = 27 dB at 1.8 GHz,
·Gold metallization for extra high reliability
·150 GHz fT-Silicon Germanium technology
· Pb-free (RoHS compliant) package1)
·Qualified according AEC Q101

简介

BFP740属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的BFP740晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BFP740

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Product Status

    :active and preferred

  • Package name

    :SOT343

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :yes

  • VCEO max [V]

    :4

  • IC max [mA]

    :45

  • NF [dB]

    :0.5

  • Gmax [dB]

    :27

  • OIP3 [dBm]

    :25

  • OP1dB [dBm]

    :11

  • fT [GHz]

    :42

  • Ptot max [mW]

    :160

  • Package

    :SOT343

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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