BFP650F中文资料高线性度RF 管基数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
BFP650F |
| 参数属性 | BFP650F 封装/外壳为4-SMD，扁平引线；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP |
| 功能描述 | 高线性度RF 管基 |
| 封装外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 17:05:00 |
| 人工找货 | BFP650F价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BFP650F规格书详情
描述 Description
NPN硅锗射频晶体管
特性 Features
• 适用于中等功率放大器和驱动级
• 非常适合低相位噪声振荡器
• 噪声系数 F = 0.8 dB @ 1.8 GHz
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
简介
BFP650F属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由制造生产的BFP650F晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 制造商编号
：BFP650F
- 生产厂家
：Infineon
- ICmax
：150 mA
- NFmin
：0.80 dB @1800 MHz
- OIP3
：31 dBm @1800 MHz
- OP1dB
：17.50 dBm @1800 MHz
- VCEOmax
：4 V
- Package
：TSFP-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TSFP-4 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
TSFP-4 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
TSFP-4 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
TSFP-4 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
SOT343 |
17805 |
原装进口假一罚十 |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
TSFP-4 |
7500 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
原装 |
32360 |
INFINEON/英飞凌全新特价BFP650F即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
TSFP-4 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
19850 |
原装正品,假一赔十 |
询价 |
