NPN Silicon Germanium RF Transistor

Linear Low Noise SiGe:C Bipolar RF Transistor • For medium power amplifiers and driver stages • Based on Infineon s reliable high volume Silicon Germanium technology • High OIP3 and P-1dB • Ideal for low phase noise oscilators • Maxim. available Gain G ma = 21.5 dB at 1.8 GHz Mini

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Linear Low Noise SiGe:C Bipolar RF Transistor

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高线性度RF 管基

NPN硅锗射频晶体管 • 适用于中等功率放大器和驱动级\n• 非常适合低相位噪声振荡器\n• 噪声系数 F = 0.8 dB @ 1.8 GHz\n• 无铅（符合 RoHS 标准）封装;

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Package：4-SMD，扁平引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 描述：RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP

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