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BFP650F分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

BFP650F
厂商型号

BFP650F

参数属性

BFP650F 封装/外壳为4-SMD,扁平引线;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP

功能描述

NPN Silicon Germanium RF Transistor
RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP

封装外壳

4-SMD,扁平引线

文件大小

129.99 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
INFINEON
数据手册

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更新时间

2025-8-2 17:43:00

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BFP650F规格书详情

BFP650F属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的BFP650F晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

Linear Low Noise SiGe:C Bipolar RF Transistor

• For medium power amplifiers and driver stages

• Based on Infineon s reliable high volume Silicon

Germanium technology

• High OIP3 and P-1dB

• Ideal for low phase noise oscilators

• Maxim. available Gain G

ma = 21.5 dB at 1.8 GHz

Minimun noise figure NFmin = 0.8 dB at 1.8 GHz

• Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free thin small

flat package with visible leads

• Qualification report according to AEC-Q101 available

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BFP650FH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    4.5V

  • 频率 - 跃迁:

    42GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

  • 增益:

    11dB ~ 21.5dB

  • 功率 - 最大值:

    500mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    110 @ 80mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    150mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    4-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    4-TSFP

  • 描述:

    RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
23+
TSFP-4
12700
买原装认准中赛美
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INFINEON
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