BFP650中文资料高线性度RF 管基数据手册Infineon规格书

描述 Description

高线性度低噪声 SiGe:C NPN 射频晶体管

特性 Features

• 适用于所有高达 4.5 GHz 的射频前端的高线性低噪声驱动放大器
• 输出三阶互调点 OIP3 = 30 dBm（70 mA、3 V、2.4 GHz、50 Ω 系统）
• 最小噪声系数 NFmin = 1 dB（30 mA、3V、2.4 GHz）
• 易于使用的无铅（符合 RoHS 标准）标准封装，引脚可见

简介

BFP650属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由制造生产的BFP650晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。