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BDW63C

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION •CollectorCurrent-IC=6A •HighDCCurrentGain-hFE=750(Min.)@IC=2A •ComplementtoTypeBDW64/A/B/C/D APPLICATIONS •Designedforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

BDW63C

Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION •CollectorCurrent-IC=6A •HighDCCurrentGain-hFE=750(Min.)@IC=2A •ComplementtoTypeBDW64/A/B/C/D APPLICATIONS •Designedforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

BDW63C

NPN SILICON POWER DARLINGTONS

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

BDW63C-S

Package:TO-220-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 100V 6A TO220

Bourns Inc.

Bourns Inc.

Bourns Inc.

详细参数

  • 型号:

    BDW63C

  • 功能描述:

    达林顿晶体管 60W 6A NPN

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 配置:

    Octal

  • 晶体管极性:

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流:

    0.5 A

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    SOIC-18

  • 封装:

    Reel

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TO-220
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更多BDW63C供应商 更新时间2025-7-28 16:00:00