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BCP56-10	文件：42.76 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR FEATURES * Suitable for AF drivers and output stages * High collector current and Low VCE(sat) 文件：42.76 Kbytes 页数：1 Pages	ZETEX	ZETEX
BCP56-10H	文件：1.27175 Mbytes Page：16 Pages	80 V, 1 A PNP medium power transistors Features and benefits  High collector current capability IC and ICM  Three current gain selections  High power dissipation capability  High-temperature applications up to 175 C  AEC-Q101 qualified 文件：1.27175 Mbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP56-10H	文件：1.25919 Mbytes Page：16 Pages	丝印：P5610H；Package：SC-73；80 V, 1 A NPN medium power transistors Features and benefits  High collector current capability IC and ICM  Three current gain selections  High power dissipation capability  High-temperature applications up to 175 C  AEC-Q101 qualified 文件：1.25919 Mbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP5610Q	文件：444.71 Kbytes Page：7 Pages	80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 Features  BVCEO > 80V  IC = 1A High Continuous Collector Current  ICM = 2A Peak Pulse Current  2W Power Dissipation  Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：444.71 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP56-10-Q	文件：249.1 Kbytes Page：12 Pages	丝印：BCP56/10；Package：SOT223；80 V, 1 A NPN medium power transistors Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Three current gain selections • High power dissipation capability • Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications 文件：249.1 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP5610QTA	文件：557.35 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BCP5610；Package：SOT223；80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 Features  BVCEO > 80V  IC = 1A High Continuous Collector Current  ICM = 2A Peak Pulse Current  2W Power Dissipation  Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：557.35 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP5610QTA	文件：444.71 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BCP5610；Package：SOT223；80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 Features  BVCEO > 80V  IC = 1A High Continuous Collector Current  ICM = 2A Peak Pulse Current  2W Power Dissipation  Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：444.71 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP5610QTC	文件：557.35 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BCP5610；Package：SOT223；80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 Features  BVCEO > 80V  IC = 1A High Continuous Collector Current  ICM = 2A Peak Pulse Current  2W Power Dissipation  Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：557.35 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP5610QTC	文件：444.71 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BCP5610；Package：SOT223；80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 Features  BVCEO > 80V  IC = 1A High Continuous Collector Current  ICM = 2A Peak Pulse Current  2W Power Dissipation  Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：444.71 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP56-10T	文件：287.1 Kbytes Page：15 Pages	丝印：P5610T；Package：SOT223；80 V, 1 A NPN medium power transistors Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Three current gain selections • High power dissipation capability 文件：287.1 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

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晶体管资料

型号：
BCP56
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
射频/高频放大（HF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
130MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
1.5W
放大倍数：
β=250
图片代号：
H-99
vtest：
80
htest：
130000000
atest：
1
wtest：
1.5

产品属性

产品编号：
BCP56
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-4
描述：
TRANS NPN 80V 1.2A SOT223-4

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