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BCP5616TA	文件：131.1 Kbytes Page：7 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 Features • BVCEO > 45V, 60V & 80V • IC = 1A High Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：131.1 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP5616TC	文件：131.1 Kbytes Page：7 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 Features • BVCEO > 45V, 60V & 80V • IC = 1A High Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：131.1 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP5616TQ	文件：556.97 Kbytes Page：7 Pages	80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 Features • BVCEO > 80V • IC = 1A High Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：556.97 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP56-16T-Q	文件：287.63 Kbytes Page：15 Pages	丝印：P5616T；Package：SC-73；80 V, 1 A NPN medium power transistors Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Three current gain selections • High power dissipation capability • Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications 文件：287.63 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP5616TQTA	文件：556.97 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BCP5616T；Package：SOT223；80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 Features • BVCEO > 80V • IC = 1A High Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：556.97 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP5616TQTC	文件：556.97 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BCP5616T；Package：SOT223；80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 Features • BVCEO > 80V • IC = 1A High Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：556.97 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP56H	文件：1.27175 Mbytes Page：16 Pages	80 V, 1 A PNP medium power transistors Features and benefits  High collector current capability IC and ICM  Three current gain selections  High power dissipation capability  High-temperature applications up to 175 C  AEC-Q101 qualified 文件：1.27175 Mbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP56H	文件：1.25919 Mbytes Page：16 Pages	丝印：BCP56H；Package：SC-73；80 V, 1 A NPN medium power transistors Features and benefits  High collector current capability IC and ICM  Three current gain selections  High power dissipation capability  High-temperature applications up to 175 C  AEC-Q101 qualified 文件：1.25919 Mbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP56H_SER	文件：1.25919 Mbytes Page：16 Pages	80 V, 1 A NPN medium power transistors Features and benefits  High collector current capability IC and ICM  Three current gain selections  High power dissipation capability  High-temperature applications up to 175 C  AEC-Q101 qualified 文件：1.25919 Mbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP56L3	文件：265.82 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor Description General purpose mainly intended for use in medium power industrial application and for audio amplifier output stage. Features • High collector current and low VCE(SAT) • Complement to BCP53L3 • Pb-free package 文件：265.82 Kbytes 页数：7 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC

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晶体管资料

型号：
BCP56
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
射频/高频放大（HF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
130MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
1.5W
放大倍数：
β=250
图片代号：
H-99
vtest：
80
htest：
130000000
atest：
1
wtest：
1.5

产品属性

产品编号：
BCP56
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-4
描述：
TRANS NPN 80V 1.2A SOT223-4

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