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BCP5616TA

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223

Features • BVCEO > 45V, 60V & 80V • IC = 1A High Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(sat)

文件:131.1 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

BCP5616TA

Package:TO-261-4,TO-261AA;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 80V 1A SOT223-3

DIODES

美台半导体

TLV5616CDGK

2.7 V TO 5.5 V LOW POWER 12-BIT DIGITAL-TO-ANALOG CONVERTERS WITH POWER DOWN

文件:310.54 Kbytes 页数:23 Pages

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德州仪器

TLV5616I

2.7 V TO 5.5 V LOW POWER 12-BIT DIGITAL-TO-ANALOG CONVERTERS WITH POWER DOWN

文件:310.54 Kbytes 页数:23 Pages

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德州仪器

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2.7 V TO 5.5 V LOW POWER 12-BIT DIGITAL-TO-ANALOG CONVERTERS WITH POWER DOWN

文件:310.54 Kbytes 页数:23 Pages

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德州仪器

产品属性

  • 产品编号:

    BCP5616TA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223-3

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 1A SOT223-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多BCP5616TA供应商 更新时间2026-4-18 14:14:00