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BCP68T1	文件：149.59 Kbytes Page：6 Pages	MEDIUMPOWERNPNSILICONHIGHCURRENTTRANSISTORSURFACEMOUNT NpnSiliconEpitaxialTransistor ThisNPNSiliconEpitaxialTransistorisdesignedforuseinlowvoltage,highcurrentapplications.ThedeviceishousedintheSOT-223package,whichisdesignedformediumpowersurfacemountapplications. •HighCurrent:IC=1.0Amp •TheSOT-223Packageca	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
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BCP68T1G	文件：106.14 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistor NPNSiliconEpitaxialTransistor ThisNPNSiliconEpitaxialTransistorisdesignedforuseinlowvoltage,highcurrentapplications.ThedeviceishousedintheSOT−223package,whichisdesignedformediumpowersurfacemountapplications. Features •HighCurrent •TheSOT−223PackageCanBe	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BCP68T1G	文件：106.55 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistor NPNSiliconEpitaxialTransistor ThisNPNSiliconEpitaxialTransistorisdesignedforuseinlowvoltage,highcurrentapplications.ThedeviceishousedintheSOT−223package,whichisdesignedformediumpowersurfacemountapplications. Features •HighCurrent •TheSOT−223PackageCanBe	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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更多BCP68T1G/BKN供应商更新时间2022-12-6 9:27:00

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