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BCR112E6327HTSA1

NPN Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=4.7kΩ, R2=4.7kΩ) • Pb-free (RoHS compliant) package • Qualified according AEC Q101

文件:841.69 Kbytes 页数:8 Pages

Infineon

英飞凌

BCR112E6327HTSA1

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3

Infineon

英飞凌

BCR112E6327HTSA1

SOT-23

Infineon

英飞凌

上传:深圳市科恒伟业电子有限公司

BCR133E6327

SOT23

INFENEON

BCR16LM-12LB

TO220F

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    BCR112E6327HTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 5mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 500µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT23

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3

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更多BCR112E6327供应商 更新时间2025-11-19 9:38:00