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Marking：P5610T；Package：SOT223；80 V, 1 A NPN medium power transistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA | ||
Marking：P5610T；Package：SOT223；80 V, 1 A NPN medium power transistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA | ||
Marking：P5610T；Package：SOT223；80 V, 1 A NPN medium power transistors | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA |
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