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BCP5610QTA	文件：557.35 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BCP5610；Package：SOT223；80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 Features  BVCEO > 80V  IC = 1A High Continuous Collector Current  ICM = 2A Peak Pulse Current  2W Power Dissipation  Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：557.35 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP5610QTA	文件：444.71 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BCP5610；Package：SOT223；80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 Features  BVCEO > 80V  IC = 1A High Continuous Collector Current  ICM = 2A Peak Pulse Current  2W Power Dissipation  Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：444.71 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP5610QTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 1A SOT223-3	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP5610QTC	文件：557.35 Kbytes Page：7 Pages	80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 Features  BVCEO > 80V  IC = 1A High Continuous Collector Current  ICM = 2A Peak Pulse Current  2W Power Dissipation  Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：557.35 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP5610QTC	文件：444.71 Kbytes Page：7 Pages	80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 Features  BVCEO > 80V  IC = 1A High Continuous Collector Current  ICM = 2A Peak Pulse Current  2W Power Dissipation  Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：444.71 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP5610TA	文件：131.1 Kbytes Page：7 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 Features • BVCEO > 45V, 60V & 80V • IC = 1A High Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：131.1 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

产品属性

产品编号：
BCP5610QTA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
63 @ 150mA，2V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-3
描述：
TRANS NPN 80V 1A SOT223-3

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