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BC858BWG	文件：1.06616 Mbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BC858BW-G	文件：151.3 Kbytes Page：6 Pages	SmallSignalTransistor Features -Ideallysuitedforautomaticinsertion -ForSwitchingandAFAmplifierApplications -Powerdissipation PCM:0.15W(@TA=25°C) -Collectorcurrent ICM:-0.1A -Collector-basevoltage VCBO:BC856W=-80V BC857W=-50V BC858W=-30V -Operatingand	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BC858C	文件：116.26 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORBC856,BC857andBC858SeriestypesarePNPSiliconTransistorsmanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. MARKINGCODE:PLEASESEEMARKINGCODET	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BC858C	文件：186.97 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagin	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC858C	文件：44.95 Kbytes Page：3 Pages	PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features ●IdeallySuitedforAutomaticInsertion ●ComplementaryNPNTypes:BC846–BC848 ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications ●TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ●HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) ●QualifiedtoAEC-Q101StandardsforH	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC858C	文件：106.98 Kbytes Page：2 Pages	PNPSmallSignalTransistor310mW Features ●LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ●EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ●MoisureSensitivityLevel1 ●IdeallySuitedforAutomaticInsertion ●150°CJunctionTemperature ●ForSwitchingandAFAmplifierAppli	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC858C	文件：218.06 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors PNPSiliconAFTransistors •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz •Complementarytypes:BC846,BC847,BC848,BC849,BC850(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC858C	文件：68.65 Kbytes Page：5 Pages	SwitchingandAmplifierApplications Features •SwitchingandAmplifierApplications •Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits •LowNoise:BC859,BC860 •ComplementtoBC846...BC850	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC858C	文件：271.92 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage) Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC846,BC847, BC849,BC850(NPN)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC858C	文件：95.23 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistorPNPSilicon GeneralPurposeTransistor PNPSilicon P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON

详细参数

型号：
BC858BMTF_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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深圳庞田科技有限公司	BC858BMTFMOS(场效应管)	FAIRCHILD/仙童	2023+	SOT-23	11000	AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站	询价
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更多BC858BMTF_Q供应商更新时间2024-4-11 18:15:00

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