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BC858CW-7	文件：47.79 Kbytes Page：2 Pages	PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ComplementaryNPNTypesAvailable(BC846AW–BC848CW) •ForswitchingandAFAmplifierApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC858CW-7-F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 0.1A SOT323	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM

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BC858CW-7

文件：47.79 Kbytes

Page：2 Pages

PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR

Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ComplementaryNPNTypesAvailable(BC846AW–BC848CW) •ForswitchingandAFAmplifierApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101

DIODES

Diodes Incorporated

DIODES

BC858CW-7-F

文件：100 bytes

Page：1 Pages

Package：SC-70，SOT-323；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 0.1A SOT323

PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司

PAM

详细参数

型号：
BC858CW-7
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP BIPOLAR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳诚思涵科技有限公司	BC858CW-7	DIODES	19+	SOT23	200000		询价
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更多BC858CW-7供应商更新时间2025-5-24 10:20:00

详细参数

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