| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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8年
留言
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长电SOT-23 |
890000 |
24+ |
全新原装现货,假一罚十 |
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7年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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4年
留言
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ON(安森美)SOT-23(SOT-23-3) |
9850 |
2511 |
电子元器件采购降本 30%!公司原厂直采,砍掉中间差价 |
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ONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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4年
留言
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onsemi(安森美)SOT-23 |
8110 |
25 |
QQ询价 绝对原装正品 |
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18年
留言
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ONSEMI/安森美 |
24000 |
25+ |
原装正品/世界那么大/我们仅差一个询价 |
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6年
留言
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ON/安森美23+ |
6000 |
SMD |
专业配单原装正品假一罚十 |
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7年
留言
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ON/安森美SOT563 |
135116 |
24+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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恩XPSOT-323 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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7年
留言
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DIODES/美台SOT23 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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4年
留言
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CJ/长电SOT-23 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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11年
留言
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ON(安森美)SOT-563,SOT-666 |
13824 |
23+ |
公司只做原装正品,假一赔十 |
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15年
留言
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恩XPSOT-23 |
32000 |
25+ |
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恩XP/恩XP全新特价BC858C即刻询购立享优惠#长期有货 |
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8年
留言
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onsemi(安森美)SOT-23-3(TO-236-3) |
21000 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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onsemi(安森美)SOT-23-3(TO-236-3) |
20948 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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13年
留言
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INFINEONSOT23 |
3000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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13年
留言
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PHISOT-23 |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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7年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT23 |
54648 |
2026+ |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
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12年
留言
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HOTTECH合科泰SOT-23 |
9850 |
2450+ |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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10年
留言
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FSC/ON原包装原封 □□ |
84000 |
26+ |
原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
BC858C采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BC858C图片
BC858C-7价格
BC858C-7价格:¥0.0000品牌:DIODES INCORPORATED
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BC858C资讯
BC858CW 深圳市裕信利电子有限公司
ADI(美国模拟器件)、Atmel(爱特梅尔)、恩XP(恩XP半导体)、 TI(BB德州仪器) 、Maxim(美信)、ST(意法半导体)、ON(安森美)、Fairchild(仙童)、Micron(美光)、IR(国际整流器)、LT(凌力尔特)、Freescale(飞思卡尔半导体)
BC858CL 深圳市裕信利电子有限公司
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BC858CE6327 深圳市裕信利电子有限公司
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BC858CL 深圳市裕信利电子有限公司
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BC858C中文资料Alldatasheet PDF
更多BC858C功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC858C-7功能描述:两极晶体管 - BJT PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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BC858CDW1T1功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V Dual PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC858CDW1T1G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V Dual PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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BC858CDXV6T5G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V Dual PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC858CE6327HTSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANSISTORS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR PNP AF 30V SOT-23
产品属性
- 产品编号:
BC858C
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
650mV @ 5mA,100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
420 @ 2mA,5V
- 频率 - 跃迁:
150MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23-3
- 描述:
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3



























