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BC858CDXV6T1	文件：65.82 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
BC858CDXV6T1
功能描述：
两极晶体管 - BJT 100mA 30V Dual PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多BC858CDXV6T1供应商更新时间2025-5-16 16:30:00

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