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BC859AMTF

丝印:9DA;Package:SOT-23;PNP Epitaxial Silicon Transistor

Features • Switching and Amplifier Applications • Suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits • Low Noise: BC859, BC860 • Complement to BC846 BC850

文件:150.03 Kbytes 页数:5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

BC859AMTF

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3

ONSEMI

安森美半导体

MRF859

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

文件:155.82 Kbytes 页数:6 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

MRF859S

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

文件:155.82 Kbytes 页数:6 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

NTE859SM

Integrated Circuit Quad, Low Noise, JFET Input Operational Amplifier

Description: The NTE859 (14–Lead DIP) and NTE859SM (SOIC–14 Surface Mount) JFET–input operational amplifiers are low noise amplifiers with low noise input bias, offset currents, and fast slew rate. The low harmonic distortion and low noise make these devices ideally suited as amplifiers for high–

文件:30.43 Kbytes 页数:3 Pages

NTE

产品属性

  • 产品编号:

    BC859AMTF

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    650mV @ 5mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    15nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    110 @ 2mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
20+
SOT-23
120000
原装正品 可含税交易
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ONSEMI/安森美
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FAIRCHILD
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更多BC859AMTF供应商 更新时间2026-10-29 10:01:00