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BC860B	文件：46.38 Kbytes Page：8 Pages	PNP general purpose transistors DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplements:BC849andBC850. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Lownoiseinputstagesofaudiofrequencyequipment.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BC860B	文件：271.92 Kbytes Page：8 Pages	PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage) Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC846,BC847, BC849,BC850(NPN)	SIEMENS Siemens Ltd
BC860B	文件：68.65 Kbytes Page：5 Pages	Switching and Amplifier Applications Features •SwitchingandAmplifierApplications •Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits •LowNoise:BC859,BC860 •ComplementtoBC846...BC850	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
BC860B	文件：218.06 Kbytes Page：8 Pages	PNP Silicon AF Transistors PNPSiliconAFTransistors •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz •Complementarytypes:BC846,BC847,BC848,BC849,BC850(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BC860B	文件：186.97 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagin	DiotecDIOTEC 德欧泰克
BC860B	文件：41.03 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Transistor ■Features ●Lowcurrent(max.100mA) ●Lowvoltage(max.45V). ●NPNcomplements:BC849andBC850.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
BC860B	文件：137.75 Kbytes Page：8 Pages	PNP general purpose transistors DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplements:BC849andBC850. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Lownoiseinputstagesofaudiofrequencyequipment.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
BC860B	文件：866.73 Kbytes Page：11 Pages	PNP Silicon AF Transistor PNPSiliconAFTransistor •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30hzand15kHz •Complementarytypes: BC847...-BC850...(NPN) •Pb-free(RoHScompliant)package •QualifiedaccordingAECQ1011)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BC860B	文件：355.55 Kbytes Page：9 Pages	PNP general purpose transistors FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
BC860B	文件：145.27 Kbytes Page：2 Pages	SMD General Purpose PNP Transistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克
BC860B	文件：540.59 Kbytes Page：4 Pages	PNP Transistors	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司
BC860B	文件：887.44 Kbytes Page：14 Pages	PNP Silicon AF Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BC860B-4F	文件：35.74 Kbytes Page：3 Pages	SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTORS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
BC860BF	文件：165.44 Kbytes Page：8 Pages	PNP Silicon AF Transistor PNPSiliconAFTransistor •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz •Complementarytypes:BC847BF,BC848BFBC849BF,BC850BF(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BC860BMTF	文件：150.03 Kbytes Page：5 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor Features •SwitchingandAmplifierApplications •Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits •LowNoise:BC859,BC860 •ComplementtoBC846...BC850	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
BC860BW	文件：46.38 Kbytes Page：8 Pages	PNP general purpose transistors DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT323plasticpackage. NPNcomplements:BC849WandBC850W. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Lownoisestagesintaperecorders,hi-fiamplifiersandotheraudio-frequencyequipment.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BC860BW	文件：273.23 Kbytes Page：8 Pages	PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage) Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)	SIEMENS Siemens Ltd
BC860BW	文件：229.98 Kbytes Page：8 Pages	PNP Silicon AF Transistors •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz •Complementarytypes:BC846W,BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BC860BW	文件：184.51 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation200mW •PlasticcaseSOT-323 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDIOTEC 德欧泰克
BC860BW	文件：50.33 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Transistor ■Features ●Lowcurrent(max.100mA) ●Lowvoltage(max.45V). ●ComplementstoBC849WandBC850W.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司

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详细参数

型号：
BC860B
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
PNP transistor,BC860B 0.1A

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	BC860B	NXP(恩智浦)	23+	标准封装	9548	全新原装正品/价格优惠/质量保障	询价
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更多BC860B供应商更新时间2024-4-28 17:15:00

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