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859	文件：110.74 Kbytes Page：2 Pages	1.3WattsAxialLeadedZenerDiodes VOLTAGERANGE:2.4-200VPOWER:1.3Watts Features ●CompleteVoltageRange2.4to200Volts ●Highpeakreversepowerdissipation ●Highreliability ●Lowleakagecurrent	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
A-859	文件：126.58 Kbytes Page：2 Pages	Avikrimp??SnapPlug,for18-22AWGWire,Box,24.31mm(.957)Length	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
A-859T	文件：126.26 Kbytes Page：2 Pages	Avikrimp??SnapPlug,for18-22AWGWire,MylarTape,24.31mm(.957)Length	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
ADG859	文件：278.84 Kbytes Page：16 Pages	1.3ohmCMOS,1.8Vto5.5VSingleSPDTSwitch/2:1MUXinSOT-66Package GENERALDESCRIPTION TheADG859isamonolithic,CMOSSPDT(singlepole,doublethrow)switchthatoperateswithasupplyrangeof1.8Vto5.5V.Itisdesignedtoofferlowonresistanceof2.3Ωmaximumovertheentiretemperaturerangeof−40°Cto+125°C.TheADG859alsohasthecapabilityof	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG859BRYZ-REEL	文件：278.84 Kbytes Page：16 Pages	1.3ohmCMOS,1.8Vto5.5VSingleSPDTSwitch/2:1MUXinSOT-66Package GENERALDESCRIPTION TheADG859isamonolithic,CMOSSPDT(singlepole,doublethrow)switchthatoperateswithasupplyrangeof1.8Vto5.5V.Itisdesignedtoofferlowonresistanceof2.3Ωmaximumovertheentiretemperaturerangeof−40°Cto+125°C.TheADG859alsohasthecapabilityof	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG859YRYZ-REEL	文件：278.84 Kbytes Page：16 Pages	1.3ohmCMOS,1.8Vto5.5VSingleSPDTSwitch/2:1MUXinSOT-66Package GENERALDESCRIPTION TheADG859isamonolithic,CMOSSPDT(singlepole,doublethrow)switchthatoperateswithasupplyrangeof1.8Vto5.5V.Itisdesignedtoofferlowonresistanceof2.3Ωmaximumovertheentiretemperaturerangeof−40°Cto+125°C.TheADG859alsohasthecapabilityof	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ANT-859-DBD-DA/W	文件：197.74 Kbytes Page：1 Pages	Uniquedual-bandconfiguration.	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
ANT859DBDDAW	文件：197.74 Kbytes Page：1 Pages	DUALBANDANTENNAS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
BC859	文件：101.5 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23(TO-236) •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC859	文件：145.7 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposePNPTransistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC859	文件：68.65 Kbytes Page：5 Pages	SwitchingandAmplifierApplications Features •SwitchingandAmplifierApplications •Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits •LowNoise:BC859,BC860 •ComplementtoBC846...BC850	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC859	文件：35.64 Kbytes Page：3 Pages	SOT23NPNSILICONPLANARGENERALPURPOSETRANSISTORS SOT23NPNSILICONPLANARGENERALPURPOSETRANSISTORS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BC859	文件：99.51 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23(TO-236) •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC859	文件：330.05 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23SiliconPlanarEpitaxialTransistorsTRANSISTORS(PNP)	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
BC859	文件：137.75 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplements:BC849andBC850. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Lownoiseinputstagesofaudiofrequencyequipment.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC859	文件：27.5 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23-PowerTransistorandDarlingtons	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
BC859	文件：168.42 Kbytes Page：4 Pages	PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC859	文件：355.55 Kbytes Page：9 Pages	PNPgeneralpurposetransistors FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC859	文件：179.58 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating–HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V •Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC859	文件：540.59 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistors	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE

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详细参数

型号：
BC859AMTF_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC859AMTF_Q供应商更新时间2024-5-2 17:00:00

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